文献
J-GLOBAL ID:201702257039658514
整理番号:17A1223646
SiC-MOSFETのFowler-Nordheimストレス劣化の特徴
Special features of Fowler-Nordheim stress degradation of SiC-MOSFETs
著者 (3件):
MURAKAMI Eiichi
(Kyushu Sangyo Univ., Fukuoka, JPN)
,
ODA Kazuhiro
(Kyushu Sangyo Univ., Fukuoka, JPN)
,
TAKESHITA Tatsuya
(Kyushu Sangyo Univ., Fukuoka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
55
号:
4S
ページ:
04ER14.1-04ER14.6
発行年:
2016年04月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)