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文献
J-GLOBAL ID：201702257080742952
整理番号：17A0193627
多層MoS2に基づくトランジスタで実現した静電的制御について: 第一原理研究
On the electrostatic control achieved in transistors based on multilayered MoS2: A first-principles study
Lu Anh Khoa Augustin
(Semiconductor Physics Laboratory, Department of Physics and Astronomy, University of Leuven, Celestijnenlaan 200 D, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Pourtois Geoffrey
(IMEC, 75 Kapeldreef, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Luisier Mathieu
(Integrated Systems Laboratory, ETH Zuerich, 8092 Zuerich, Switzerland)
,
Radu Iuliana P.
(IMEC, 75 Kapeldreef, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Houssa Michel
(Semiconductor Physics Laboratory, Department of Physics and Astronomy, University of Leuven, Celestijnenlaan 200 D, B-3001 Leuven, Belgium)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 121 号： 4 ページ： 044505-044505-6 発行年： 2017年01月28日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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