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文献
J-GLOBAL ID：201702257150348871
整理番号：17A0385801
H2O酸化剤による原子層蒸着によって形成したAl2O3膜の電流伝導へのポスト蒸着焼なまし効果
Post-deposition-annealing effect on current conduction in Al2O3 films formed by atomic layer deposition with H2O oxidant
Hiraiwa Atsushi
(Institute of Materials and Systems for Sustainability (Tokyo Branch), Nagoya University, Bldg. 120-5 (Waseda University), 513 Waseda-tsurumaki, Shinjuku, Tokyo 162-0041, Japan)
,
Matsumura Daisuke
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan)
,
Okubo Satoshi
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan)
,
Kawarada Hiroshi
(Research Organization for Nano and Life Innovation, Waseda University, 513 Waseda-tsurumaki, Shinjuku, Tokyo 162-0041, Japan)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 121 号： 7 ページ： 074502-074502-8 発行年： 2017年02月21日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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