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文献
J-GLOBAL ID：201702257259004214
整理番号：17A0318042
シリコン上のIII-V材料のボイドフリー結合のための超薄SiO_2A LD(原子層堆積)層【Powered by NICT】
An ultra-thin SiO2 ALD layer for void-free bonding of III-V material on silicon
Talneau A.
(CNRS - LPN, route de Nozay, F-91460 Marcoussis, France)
,
Pantzas K.
(CNRS - LPN, route de Nozay, F-91460 Marcoussis, France)
,
Durnez A.
(CNRS - LPN, route de Nozay, F-91460 Marcoussis, France)
,
Patriarche G.
(CNRS - LPN, route de Nozay, F-91460 Marcoussis, France)
,
Alamarguy D.
(GeePs Group of electrical engineering - Paris, UMR CNRS 8507, CentraleSupelec, Univ Paris-Sud, Sorbonne Universites, UPMC Univ Paris 06, 11 rue Joliot Curie, Plateau de Moulon, F-91192 Gif sur Yvette CEDEX, France)
,
Le Bourhis E.
(Institut P’, CNRS - Univ de Poitiers, 2-Bd M et P Curie, F-86962 Chasseneuil, France)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 162 ページ： 40-44 発行年： 2016年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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