文献
J-GLOBAL ID:201702257320728432
整理番号:17A0591677
薄型ポリSi浮体MOSFETの結晶粒界における正孔捕獲現象およびキャパシタレスDRAMへの応用
Hole Trapping Phenomenon at the Grain Boundary of Thin Poly-Si Floating-Body MOSFET and Its Capacitor-Less DRAM Application
著者 (5件):
BAEK Myung-Hyun
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Sang-Ho
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KWON Dae Woong
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
SEO Joo Yun
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
PARK Byung-Gook
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
17
号:
5
ページ:
2986-2990
発行年:
2017年05月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)