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文献
J-GLOBAL ID：201702257373994000
整理番号：17A0329124
TSVの結合MOS容量の安定化と利用【Powered by NICT】
Stabilization and utilization of coupling MOS capacitance between TSVs
Fang Runiu
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Liu Huan
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Miao Min
(Information Microsystem Institute, Beijing Information Science and Technology University, Beijing, China)
,
Sun Xin
(Academy of Information Science Innovation, China Electronics Technology Group Corporation, Beijing, China)
,
Jin Yufeng
(Shenzhen Graduate School, Peking University, Shenzhen, China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： EPTC ページ： 347-350 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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