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文献
J-GLOBAL ID：201702257430952811
整理番号：17A0118283
化学センサ応用のためのN型GaNおよびN型InP多孔質構造の電気化学的形成【Powered by NICT】
Electrochemical formation of N-type GaN and N-type InP porous structures for chemical sensor applications
Sato Taketomo
(Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan)
,
Zhang Xiaoyi
(Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan)
,
Ito Keisuke
(Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan)
,
Matsumoto Satoru
(Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan)
,
Kumazaki Yusuke
(Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： SENSORS ページ： 1-3 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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