文献
J-GLOBAL ID:201702257533878547
整理番号:17A0953456
マグネシウムイオン注入によるGaN(000<span style=text-decoration:overline>1</span>)のP型ドーピング
P-type doping of GaN(000<span style=text-decoration:overline>1</span>) by magnesium ion implantation
著者 (5件):
NARITA Tetsuo
(Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN)
,
KACHI Tetsu
(Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN)
,
KACHI Tetsu
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
KATAOKA Keita
(Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN)
,
UESUGI Tsutomu
(Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
10
号:
1
ページ:
016501.1-016501.4
発行年:
2017年01月
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)