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J-GLOBAL ID：201702257754731321 整理番号：17A0953627

二端子アルミニウム薄膜/ナノシリコン膜/ITO構造のSchottky障壁の特性

Characteristics of the Schottky Barriers of Two-Terminal Thin-Film Al/Nano-Si Film/ITO Structures

著者 (2件)：

KONONOV N. N.

(Prokhorov Inst. of General Physics, Russian Acad. of Sci., Moscow, RUS)

DOROFEEV S. G.

(Moscow State Univ., Moscow, RUS)

資料名：

Semiconductors (Semiconductors)

巻： 51 号： 5 ページ： 608-616 発行年： 2017年05月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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