文献
J-GLOBAL ID:201702257882713635
整理番号:17A0504156
大面積フレキシブルデバイス応用のためのグラフェンバッファを持つGaNベースの発光ダイオード
GaN-Based Light-Emitting Diodes with Graphene Buffers for Their Application to Large-Area Flexible Devices
著者 (7件):
OHTA Jitsuo
(Institute of Industrial Science (IIS), The University of Tokyo)
,
OHTA Jitsuo
(PRESTO, Japan Science and Technology Agency)
,
SHON Jeong Woo
(Institute of Industrial Science (IIS), The University of Tokyo)
,
UENO Kohei
(Institute of Industrial Science (IIS), The University of Tokyo)
,
KOBAYASHI Atsushi
(Institute of Industrial Science (IIS), The University of Tokyo)
,
FUJIOKA Hiroshi
(Institute of Industrial Science (IIS), The University of Tokyo)
,
FUJIOKA Hiroshi
(ACCEL, Japan Science and Technology Agency)
資料名:
IEICE Transactions on Electronics (Web)
(IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻:
E100.C
号:
2
ページ:
161-165(J-STAGE)
発行年:
2017年
JST資料番号:
U0468A
ISSN:
1745-1353
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)