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文献
J-GLOBAL ID：201702257883685709
整理番号：17A0685874
有機金属気成長法で成長させたSi基板上の完全垂直型GaN p-nダイード
Novel fully vertical GaN p-n diode on Si substrate grown by metalorganic chemical vapor deposition
MASE Suguru
(Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN)
,
URAYAMA Yuya
(Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN)
,
HAMADA Takeaki
(Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN)
,
FREEDSMAN Joseph J.
(Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN)
,
EGAWA Takashi
(Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 9 号： 11 ページ： 111005.1-111005.4 発行年： 2016年11月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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