文献
J-GLOBAL ID:201702257901905953
整理番号:17A0362552
アナログとRF領域におけるゲルマニウムpTFETのプロセス誘起変動の研究【Powered by NICT】
Study of process induced variability of germanium-pTFET in analog and RF domain
著者 (3件):
Ghosh Sayani
(Nano Device Simulation Laboratory, Electronics and Telecommunication Engineering Department, Jadavpur University, Kolkata 700 032, India)
,
Koley Kalyan
(Nano Device Simulation Laboratory, Electronics and Telecommunication Engineering Department, Jadavpur University, Kolkata 700 032, India)
,
Sarkar Chandan K.
(Nano Device Simulation Laboratory, Electronics and Telecommunication Engineering Department, Jadavpur University, Kolkata 700 032, India)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
65
ページ:
47-54
発行年:
2016年
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)