文献
J-GLOBAL ID:201702258007136280
整理番号:17A0352478
Si(001)基板上のV溝トレンチにおけるGaAs成長のナノスケール空間相変調【Powered by NICT】
Nanoscale spatial phase modulation of GaAs growth in V-grooved trenches on Si (001) substrate
著者 (7件):
Li Shiyan
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Zhou Xuliang
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Kong Xiangting
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Li Mengke
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Mi Junping
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Wang Mengqi
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Pan Jiaoqing
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名:
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻:
25
号:
12
ページ:
128101-1-128101-4
発行年:
2016年
JST資料番号:
W1539A
ISSN:
1674-1056
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)