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文献
J-GLOBAL ID：201702258073013216
整理番号：17A1003307
(001)Al2O3および(100)CaF2基板上への優先(111)配向Mg2Si薄膜の作製とその熱電特性
Preparation of preferentially (111)-oriented Mg2Si thin films on (001)Al2O3 and (100)CaF2 substrates and their thermoelectric properties
KUROKAWA Mao
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
UEHARA Mutsuo
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
ICHINOSE Daichi
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
SHIMIZU Takao
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
AKIYAMA Kensuke
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
AKIYAMA Kensuke
(Kanagawa Industrial Technol. Center, Kanagawa, JPN)
,
MATSUSHIMA Masaaki
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
UCHIDA Hiroshi
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
KIMURA Yoshisato
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
FUNAKUBO Hiroshi
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56 号： 5S1 ページ： 05DC02.1-05DC02.4 発行年： 2017年05月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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