文献
J-GLOBAL ID:201702258117008111
整理番号:17A0399651
成長高完全性Cl補償CdTeの方法としての段階的冷却技術【Powered by NICT】
Stepwise cooling technique as a method of growing high-perfection Cl-compensated CdTe
著者 (4件):
Pavlyuk M.D.
(A.V. Shubnikov Institute of Crystallography RAS, Leninskii pr. 59, Moscow 119333, Russia)
,
Subbotin I.A.
(National Research Centre “Kurchatov Institute”, Akademika Kurchatova pl., 1, Moscow 123182, Russia)
,
Kanevsky V.M.
(A.V. Shubnikov Institute of Crystallography RAS, Leninskii pr. 59, Moscow 119333, Russia)
,
Artemov V.V.
(A.V. Shubnikov Institute of Crystallography RAS, Leninskii pr. 59, Moscow 119333, Russia)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
457
ページ:
112-116
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)