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文献
J-GLOBAL ID：201702258248689148
整理番号：17A1297870
超音波照射の下で合成したSnドープZnO量子ドットのサイズと欠陥に与える反応温度と反応時間の効果
Effect of reaction temperature and reaction time on the sizes and defects of Sn doped ZnO quantum dots synthesized under ultrasonic irradiation
YANG Weimin
(Nanjing Tech Univ., Nanjing, CHN)
,
WANG Jue
(Nanjing Tech Univ., Nanjing, CHN)
,
WANG Lixi
(Nanjing Tech Univ., Nanjing, CHN)
,
ZHANG Qitu
(Nanjing Tech Univ., Nanjing, CHN)
,
WONG Chingping
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
WONG Chingping
(Chinese Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28 号： 17 ページ： 12803-12815 発行年： 2017年09月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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