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文献
J-GLOBAL ID:201702258318425085   整理番号:17A1636598

GaNとGaAsH EMTのための拡張バイアス領域でのトラップモデルの抽出【Powered by NICT】

Extraction of a trapping model over an extended bias range for GaN and GaAs HEMTs
著者 (4件):
Tarazi Jabra
(Department of Engineering, Macquarie University, NSW 2109, Australia)
Rathmell James G.
(School of Electrical Engineering, The University of Sydney, NSW 2006, Australia)
Parker Anthony E.
(Department of Engineering, Macquarie University, NSW 2109, Australia)
Mahon Simon J.
(M/A-COM Technology Solutions Inc., 157 Walker Street, North Sydney, NSW 2060, Australia)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2017  号: IMS  ページ: 244-247  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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