文献
J-GLOBAL ID:201702258318425085
整理番号:17A1636598
GaNとGaAsH EMTのための拡張バイアス領域でのトラップモデルの抽出【Powered by NICT】
Extraction of a trapping model over an extended bias range for GaN and GaAs HEMTs
著者 (4件):
Tarazi Jabra
(Department of Engineering, Macquarie University, NSW 2109, Australia)
,
Rathmell James G.
(School of Electrical Engineering, The University of Sydney, NSW 2006, Australia)
,
Parker Anthony E.
(Department of Engineering, Macquarie University, NSW 2109, Australia)
,
Mahon Simon J.
(M/A-COM Technology Solutions Inc., 157 Walker Street, North Sydney, NSW 2060, Australia)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IMS
ページ:
244-247
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)