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J-GLOBAL ID：201702258496251963 整理番号：17A1671906

SiC厚膜の急速エピタキシャル成長エッチングプロセスを研究した。【JST・京大機械翻訳】

Effect of etching process on fast-epitaxial SiC thick films

著者 (4件)：

Mao Kaili

(西安理工大学材料科学与工程学院,西安 710048; 中国電子科技集団公司第二研究所,太原 030024)

Wang Yingmin

(中国電子科技集団公司第二研究所,太原,030024)

Li Bin

(中国電子科技集団公司第二研究所,太原,030024)

Zhao Gaoyang

(西安理工大学材料科学与工程学院,西安,710048)

資料名：

Gongneng Cailiao (Gongneng Cailiao)

巻： 48 号： 1 ページ： 1139-1143 発行年： 2017年
JST資料番号： C2095A ISSN： 1001-9731 CODEN： GOCAEA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：中国 (CHN) 言語：中国語 (ZH)

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