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文献
J-GLOBAL ID:201702258496251963   整理番号:17A1671906

SiC厚膜の急速エピタキシャル成長エッチングプロセスを研究した。【JST・京大機械翻訳】

Effect of etching process on fast-epitaxial SiC thick films
著者 (4件):
Mao Kaili
(西安理工大学 材料科学与工程学院,西安 710048; 中国電子科技集団公司第二研究所,太原 030024)
Wang Yingmin
(中国電子科技集団公司第二研究所,太原,030024)
Li Bin
(中国電子科技集団公司第二研究所,太原,030024)
Zhao Gaoyang
(西安理工大学 材料科学与工程学院,西安,710048)

資料名:
Gongneng Cailiao  (Gongneng Cailiao)

巻: 48  号:ページ: 1139-1143  発行年: 2017年 
JST資料番号: C2095A  ISSN: 1001-9731  CODEN: GOCAEA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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