文献
J-GLOBAL ID:201702258524349812
整理番号:17A1273396
産業応用のための3.3kV SiC MOSFETの設計と製作【Powered by NICT】
Design and fabrication of 3.3kV SiC MOSFETs for industrial applications
著者 (5件):
Rusag Xing
(United Silicon Carbide Inc., Monmouth Junction, New Jersey, USA)
,
Vursin Leonid
(United Silicon Carbide Inc., Monmouth Junction, New Jersey, USA)
,
Bhalla Anup
(United Silicon Carbide Inc., Monmouth Junction, New Jersey, USA)
,
Simon William
(United Silicon Carbide Inc., Monmouth Junction, New Jersey, USA)
,
Dries J. Chris
(United Silicon Carbide Inc., Monmouth Junction, New Jersey, USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ISPSD
ページ:
255-258
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)