文献
J-GLOBAL ID:201702258558815389
整理番号:17A0617166
異なるスパッタリング圧力を用いたRFマグネトロンスパッタリングにより柔軟基板上に堆積したテルル化アンチモン薄膜の微細構造と電気特性
Microstructure and Electrical Properties of Antimony Telluride Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering on Flexible Substrate Using Different Sputtering Pressures
著者 (4件):
KHUMTONG T.
(King Mongkut’s Inst. Technol. Ladkrabang, Bangkok, THA)
,
SUKWISUTE P.
(King Mongkut’s Inst. Technol. Ladkrabang, Bangkok, THA)
,
SAKULKALAVEK A.
(King Mongkut’s Inst. Technol. Ladkrabang, Bangkok, THA)
,
SAKDANUPHAB R.
(King Mongkut’s Inst. Technol. Ladkrabang, Bangkok, THA)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
46
号:
5
ページ:
3166-3171
発行年:
2017年05月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)