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文献
J-GLOBAL ID：201702258654143717
整理番号：17A0473208
イオン照射とアニーリング経路により実現したZnOにおける浅いアクセプタ状態【Powered by NICT】
Shallow acceptor state in ZnO realized by ion irradiation and annealing route
Pal S.
(Department of Physics, University of Calcutta, 92 Acharya Prafulla Chandra Road, Kolkata 700009, India)
,
Rakshit T.
(Department of Physics, Indian Institute of Technology, Kharagpur 721302, India)
,
Singha S.S.
(Department of Physics, Bose Institute, 93/1, Acharya Prafulla Chandra Road, Kolkata 700009, India)
,
Asokan K.
(Inter University Accelerator Centre, Post Box 10502, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi 110067, India)
,
Dutta S.
(Department of Physics, Rammohan College, 102/1, Raja Rammohan Sarani, Kolkata 700009, India)
,
Jana D.
(Department of Physics, University of Calcutta, 92 Acharya Prafulla Chandra Road, Kolkata 700009, India)
,
Sarkar A.
(Department of Physics, Bangabasi Morning College, 19 Rajkumar Chakraborty Sarani, Kolkata 700009, India)
資料名：
Journal of Alloys and Compounds
(Journal of Alloys and Compounds)
巻： 703 ページ： 26-33 発行年： 2017年
JST資料番号： D0083A ISSN： 0925-8388 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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