文献
J-GLOBAL ID:201702258725277064
整理番号:17A0666094
7-/8nmノードにおける6T-SRAM電圧スケーリングのためのSOIとバルクFinFET技術の比較【Powered by NICT】
Comparison of SOI Versus Bulk FinFET Technologies for 6T-SRAM Voltage Scaling at the 7-/8-nm Node
著者 (6件):
Zhang Xi
(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)
,
Connelly Daniel
(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)
,
Takeuchi Hideki
(Atomera Inc., Los Gatos, CA, USA)
,
Hytha Marek
(Atomera Inc., Los Gatos, CA, USA)
,
Mears Robert J.
(Atomera Inc., Los Gatos, CA, USA)
,
Liu Tsu-Jae King
(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
1
ページ:
329-332
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)