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文献
J-GLOBAL ID：201702258761964931
整理番号：17A0666055
GaN-on-SiH EMTのに関連した破壊:装置幾何学と不動態化に対する依存性【Powered by NICT】
Field-Related Failure of GaN-on-Si HEMTs: Dependence on Device Geometry and Passivation
Rossetto I.
(Department of Information Engineering, University of Padua, Padua, Italy)
,
Meneghini M.
(Department of Information Engineering, University of Padua, Padua, Italy)
,
Pandey S.
(NXP Semiconductors, BL PowerMOS, Stockport, SK7 5BJ, U.K.)
,
Gajda M.
(NXP Semiconductors, BL PowerMOS, Stockport, SK7 5BJ, U.K.)
,
Hurkx G. A. M.
(NXP Semiconductors, Eindhoven, AE, The Netherlands.)
,
Croon J. A.
(NXP Semiconductors, Eindhoven, AE, The Netherlands.)
,
Sonsky J.
(NXP Semiconductors, Leuven, Belgium)
,
Meneghesso G.
(Department of Information Engineering, University of Padua, Padua, Italy)
,
Zanoni E.
(Department of Information Engineering, University of Padua, Padua, Italy)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64 号： 1 ページ： 73-77 発行年： 2017年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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