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文献
J-GLOBAL ID：201702258831059143
整理番号：17A1209439
熱イオン化不純物の効果とMOVPEによって成長させたGaNの励起子特性へのモザイク性【Powered by NICT】
Effects of thermal ionized-impurities and mosaicity on the excitonic properties of GaN grown by MOVPE
Bouzidi M.
(Universite de Monastir, Faculte des Sciences Unite de recherche sur les Hetero-Epitaxies et Applications (URHEA), 5000 Monastir, Tunisia)
,
Soltani S.
(Universite de Monastir, Faculte des Sciences Unite de recherche sur les Hetero-Epitaxies et Applications (URHEA), 5000 Monastir, Tunisia)
,
Chine Z.
(Universite de Monastir, Faculte des Sciences Unite de recherche sur les Hetero-Epitaxies et Applications (URHEA), 5000 Monastir, Tunisia)
,
Jani B. EL
(Universite de Monastir, Faculte des Sciences Unite de recherche sur les Hetero-Epitaxies et Applications (URHEA), 5000 Monastir, Tunisia)
資料名：
Optik
(Optik)
巻： 142 ページ： 144-152 発行年： 2017年
JST資料番号： D0251A ISSN： 0030-4026 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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