文献
J-GLOBAL ID:201702258892435587
整理番号:17A0751661
高性能MoS_2FETのための深紫外と急速熱アニーリングによる溶液処理した高k酸化物誘電体【Powered by NICT】
Solution-processed high-k oxide dielectric via deep ultraviolet and rapid thermal annealing for high-performance MoS2 FETs
著者 (4件):
Yoo Geonwook
(School of Electronic Engineering, Soongsil University, Seoul, 06978, Korea)
,
Choi Sol Lea
(Display Materials & Components Research Center, Korea Electronics Technology Institute, Gyeonggi, 463-816, Korea)
,
Yoo Byungwook
(Display Materials & Components Research Center, Korea Electronics Technology Institute, Gyeonggi, 463-816, Korea)
,
Oh Min Suk
(Display Materials & Components Research Center, Korea Electronics Technology Institute, Gyeonggi, 463-816, Korea)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻:
214
号:
1
ページ:
ROMBUNNO.201600619
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
1862-6300
CODEN:
PSSABA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)