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文献
J-GLOBAL ID：201702258931213509
整理番号：17A0825936
その場O_3治療によるAl_2O_3/HfO_2スタックを用いた高移動度高Ge含有SiGe PMOSFET【Powered by NICT】
High Mobility High-Ge-Content SiGe PMOSFETs Using Al2O3/HfO2 Stacks With In-Situ O3 Treatment
Ando Takashi
(T. J. Watson Research Center, IBM, Yorktown Heights, NY, USA)
,
Hashemi Pouya
(T. J. Watson Research Center, IBM, Yorktown Heights, NY, USA)
,
Bruley John
(T. J. Watson Research Center, IBM, Yorktown Heights, NY, USA)
,
Rozen John
(T. J. Watson Research Center, IBM, Yorktown Heights, NY, USA)
,
Ogawa Yohei
(ULVAC, Yorktown Heights, NY, USA)
,
Koswatta Siyuranga
(T. J. Watson Research Center, IBM, Yorktown Heights, NY, USA)
,
Chan Kevin K.
(T. J. Watson Research Center, IBM, Yorktown Heights, NY, USA)
,
Cartier Eduard A.
(T. J. Watson Research Center, IBM, Yorktown Heights, NY, USA)
,
Mo Renee
(T. J. Watson Research Center, IBM, Yorktown Heights, NY, USA)
,
Narayanan Vijay
(T. J. Watson Research Center, IBM, Yorktown Heights, NY, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 3 ページ： 303-305 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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