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文献
J-GLOBAL ID：201702258953961455
整理番号：17A1627584
孤立したZn空格子点の高濃度の形成とZnOにおけるアクセプタ準位の証拠【Powered by NICT】
Formation of high concentrations of isolated Zn vacancies and evidence for their acceptor levels in ZnO
Parmar Narendra S.
(Center for Electronic Materials, Korea Institute of Science and Technology, Seoul, 02792, Republic of Korea)
,
Choi Ji-Won
(Center for Electronic Materials, Korea Institute of Science and Technology, Seoul, 02792, Republic of Korea)
,
Choi Ji-Won
(Department of Nanomaterials Science and Engineering, Korea University of Science and Technology, Daejeon, 34113, Republic of Korea)
,
Boatner Lynn A.
(Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA)
,
McCluskey Matthew D.
(Department of Physics and Astronomy, Washington State University, Pullman, WA, 99164, USA)
,
Lynn Kelvin G.
(Department of Physics and Astronomy, Washington State University, Pullman, WA, 99164, USA)
,
Lynn Kelvin G.
(Center for Materials Research, Washington State University, Pullman, WA, 99164, USA)
資料名：
Journal of Alloys and Compounds
(Journal of Alloys and Compounds)
巻： 729 ページ： 1031-1037 発行年： 2017年
JST資料番号： D0083A ISSN： 0925-8388 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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