文献
J-GLOBAL ID:201702258976365940
整理番号:17A1261691
遷移金属酸化物ベースRRAMにおける多芯伝導モデル化【Powered by NICT】
Multifilamentary Conduction Modeling in Transition Metal Oxide-Based RRAM
著者 (2件):
Asapu Shiva
(Department of Material Science and Engineering, Plasmonics and Perovskites Laboratory, IIT Kanpur, Kanpur, India)
,
Maiti Tanmoy
(Department of Material Science and Engineering, Plasmonics and Perovskites Laboratory, IIT Kanpur, Kanpur, India)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
8
ページ:
3145-3150
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)