文献
J-GLOBAL ID:201702259023071872
整理番号:17A1720297
六方晶窒化ホウ素上の準自由起立グラフェンにおけるキャリア散乱【Powered by NICT】
Carrier scattering in quasi-free standing graphene on hexagonal boron nitride
著者 (9件):
Kim Sun Jun
(Department of Mechanical Engineering, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea. scj@yonsei.ac.kr)
,
Park Byeongho
,
Noh Seung Hyo
,
Yoon Hyong Seo
,
Oh Juyeong
,
Yoo SangHyuk
,
Kang Keonwook
,
Han Byungchan
,
Jun Seong Chan
資料名:
Nanoscale
(Nanoscale)
巻:
9
号:
41
ページ:
15934-15944
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2323A
ISSN:
2040-3364
CODEN:
NANOHL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)