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文献
J-GLOBAL ID：201702259064310143
整理番号：17A1836499
Intersil ISL70023SEHとISL70024SEH窒化ガリウム電力トランジスタの変位損傷試験【Powered by NICT】
Displacement damage testing of the Intersil ISL70023SEH and ISL70024SEH gallium nitride power transistors
van Vonno N. W.
(Industrial, Analog and Power, Intersil, a Renesas Corporation, Palm Bay, Florida 32905)
,
Mansilla O.
(Industrial, Analog and Power, Intersil, a Renesas Corporation, Palm Bay, Florida 32905)
,
Gill J. S.
(Industrial, Analog and Power, Intersil, a Renesas Corporation, Palm Bay, Florida 32905)
,
Newman W. H.
(Industrial, Analog and Power, Intersil, a Renesas Corporation, Palm Bay, Florida 32905)
,
Pearce L. G.
(Industrial, Analog and Power, Intersil, a Renesas Corporation, Palm Bay, Florida 32905)
,
Thomson E. J.
(Industrial, Analog and Power, Intersil, a Renesas Corporation, Palm Bay, Florida 32905)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： NSREC ページ： 1-6 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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