文献
J-GLOBAL ID:201702259083957008
整理番号:17A0795068
IGZOに基づくシナプストランジスタにおける模倣長期抑圧【Powered by NICT】
Long-Term Depression Mimicked in an IGZO-Based Synaptic Transistor
著者 (5件):
Wang Jiabin
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
,
Li Yuxing
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
,
Yin Changqing
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
,
Yang Yi
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
,
Ren Tian-Ling
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
38
号:
2
ページ:
191-194
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)