前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702259162365926
整理番号：17A0697951
二層六方晶窒化ほう素の圧力に誘起された絶縁体-半導体転移【Powered by NICT】
Pressure-induced insulator-semiconductor transition in bilayer hexagonal boron nitride
An Xuhong
(Key Laboratory of Solid Lubrication, Lanzhou Institute of Chemicals Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China)
,
An Xuhong
(Institute of Nanoscience and Nanotechnology, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China)
,
Sun Junhui
(Key Laboratory of Solid Lubrication, Lanzhou Institute of Chemicals Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China)
,
Lu Zhibin
(Key Laboratory of Solid Lubrication, Lanzhou Institute of Chemicals Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China)
,
Ma Fei
(Institute of Nanoscience and Nanotechnology, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China)
,
Zhang Guangan
(Key Laboratory of Solid Lubrication, Lanzhou Institute of Chemicals Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China)
資料名：
Ceramics International
(Ceramics International)
巻： 43 号： 8 ページ： 6626-6630 発行年： 2017年
JST資料番号： H0705A ISSN： 0272-8842 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。