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文献
J-GLOBAL ID：201702259238538935
整理番号：17A0462066
電子線照射された高移動度金属-酸化物-シリコントランジスタにおける浅いSi/SiO2界面トラップのアニーリング
Annealing shallow Si/SiO2 interface traps in electron-beam irradiated high-mobility metal-oxide-silicon transistors
Kim J.-S.
(Department of Electrical Engineering, Princeton University, Princeton, New Jersey 08544, USA)
,
Tyryshkin A. M.
(Department of Electrical Engineering, Princeton University, Princeton, New Jersey 08544, USA)
,
Lyon S. A.
(Department of Electrical Engineering, Princeton University, Princeton, New Jersey 08544, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 110 号： 12 ページ： 123505-123505-4 発行年： 2017年03月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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