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文献
J-GLOBAL ID：201702259240900869
整理番号：17A0362450
多結晶HfO_2をベースにしたMIMスタックにおける粒界位置における導電性フィラメント形成:計算と物理的洞察【Powered by NICT】
Conductive filament formation at grain boundary locations in polycrystalline HfO2 -based MIM stacks: Computational and physical insight
Shubhakar K.
(Engineering Product Development (EPD), Singapore University of Technology and Design (SUTD), 8 Somapah Road, 487372, Singapore)
,
Mei S.
(Engineering Product Development (EPD), Singapore University of Technology and Design (SUTD), 8 Somapah Road, 487372, Singapore)
,
Bosman M.
(Institute of Materials Research and Engineering (IMRE), A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, 138634, Singapore)
,
Raghavan N.
(Engineering Product Development (EPD), Singapore University of Technology and Design (SUTD), 8 Somapah Road, 487372, Singapore)
,
Ranjan A.
(Engineering Product Development (EPD), Singapore University of Technology and Design (SUTD), 8 Somapah Road, 487372, Singapore)
,
O’Shea S.J.
(Institute of Materials Research and Engineering (IMRE), A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, 138634, Singapore)
,
Pey K.L.
(Engineering Product Development (EPD), Singapore University of Technology and Design (SUTD), 8 Somapah Road, 487372, Singapore)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 64 ページ： 204-209 発行年： 2016年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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