文献
J-GLOBAL ID:201702259244845127
整理番号:17A1637476
3D NANDフラッシュメモリの保持に対する自己加熱効果の影響【Powered by NICT】
Impact of self-heating effect on the retention of 3-D NAND flash memory
著者 (5件):
Wang Kunliang
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
,
Lun Zhiyuan
(Huawei Technologies Co., Ltd., Hangzhou, China)
,
Chen Wangyong
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
,
Liu Xiaoyan
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
,
Du Gang
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IPFA
ページ:
1-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)