文献
J-GLOBAL ID:201702259358378588
整理番号:17A0048419
レイアウトレベルアプローチと耐性のある単一イベントの混乱に対する高信頼性メモリセル設計
A Highly Reliable Memory Cell Design Combined With Layout-Level Approach to Tolerant Single-Event Upsets
著者 (5件):
Qi Chunhua
(Microelectronics Center, Harbin Institute of Technology, Harbin, China)
,
Xiao Liyi
(Microelectronics Center, Harbin Institute of Technology, Harbin, China)
,
Wang Tianqi
(Research Center of Basic Space Science, Harbin Institute of Technology, Harbin, China)
,
Li Jie
(Microelectronics Center, Harbin Institute of Technology, Harbin, China)
,
Li Linzhe
(Microelectronics Center, Harbin Institute of Technology, Harbin, China)
資料名:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
(IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻:
16
号:
3
ページ:
388-395
発行年:
2016年
JST資料番号:
W1320A
ISSN:
1530-4388
CODEN:
ITDMA2
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)