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文献
J-GLOBAL ID：201702259429993304
整理番号：17A1223640
過酷環境用途向けの4H-SiCにおける従来型バイポーラロジック技術のシミュレーション
Simulation of conventional bipolar logic technologies in 4H-SiC for harsh environment applications
ELGABRA Hazem
(Khalifa Univ. Sci., Technol. and Res., Abu Dhabi, ARE)
,
SIDDIQUI Amna
(Khalifa Univ. Sci., Technol. and Res., Abu Dhabi, ARE)
,
SINGH Shakti
(Khalifa Univ. Sci., Technol. and Res., Abu Dhabi, ARE)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55 号： 4S ページ： 04ER08.1-04ER08.4 発行年： 2016年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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