文献
J-GLOBAL ID:201702259437619926
整理番号:17A0546262
層選択原子置換による組成変調二次元半導体横方向ヘテロ構造
Composition-Modulated Two-Dimensional Semiconductor Lateral Heterostructures via Layer-Selected Atomic Substitution
著者 (12件):
LI Honglai
(Hunan Univ., Hunan, CHN)
,
WU Xueping
(Hunan Univ., Hunan, CHN)
,
LIU Hongjun
(Hunan Univ., Hunan, CHN)
,
ZHENG Biyuan
(Hunan Univ., Hunan, CHN)
,
ZHANG Qinglin
(Hunan Univ., Hunan, CHN)
,
ZHU Xiaoli
(Hunan Univ., Hunan, CHN)
,
WEI Zheng
(Chongqing Univ., Chongqing, CHN)
,
ZHUANG Xiujuan
(Hunan Univ., Hunan, CHN)
,
ZHOU Hong
(Hunan Univ., Hunan, CHN)
,
TANG Wenxin
(Chongqing Univ., Chongqing, CHN)
,
DUAN Xiangfeng
(Univ. California, California, USA)
,
PAN Anlian
(Hunan Univ., Hunan, CHN)
資料名:
ACS Nano
(ACS Nano)
巻:
11
号:
1
ページ:
961-967
発行年:
2017年01月
JST資料番号:
W2326A
ISSN:
1936-0851
CODEN:
ANCAC3
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)