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文献
J-GLOBAL ID：201702259626029232
整理番号：17A0825943
HfO_2~をベースとした高度に安定な放射耐性強誘電体メモリ【Powered by NICT】
HfO2-Based Highly Stable Radiation-Immune Ferroelectric Memory
Huang Fei
(National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Wang Yan
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Laboratory of Nanofabrication and Novel Device Integration, The Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Liang Xiao
(National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Qin Jun
(National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Zhang Yan
(National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Yuan Xiufang
(National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Wang Zhuo
(National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Peng Bo
(National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Deng Longjiang
(National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Liu Qi
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Laboratory of Nanofabrication and Novel Device Integration, The Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Bi Lei
(National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Liu Ming
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Laboratory of Nanofabrication and Novel Device Integration, The Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 3 ページ： 330-333 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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