文献
J-GLOBAL ID:201702259654779183
整理番号:17A1347418
ナノスケールMOSFETモデリング:パート1:低電力アナログ回路設計のための単純化されたEKVモデル【Powered by NICT】
Nanoscale MOSFET Modeling: Part 1: The Simplified EKV Model for the Design of Low-Power Analog Circuits
著者 (3件):
Enz Christian
(Swiss Federal Institute of Technology (EPFL), Neuchatel, Switzerland)
,
Chicco Francesco
(Swiss Federal Institute of Technology (EPFL), Neuchatel, Switzerland)
,
Pezzotta Alessandro
(Swiss Federal Institute of Technology (EPFL), Neuchatel, Switzerland)
資料名:
IEEE Solid-State Circuits Magazine
(IEEE Solid-State Circuits Magazine)
巻:
9
号:
3
ページ:
26-35
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2270A
ISSN:
1943-0582
CODEN:
SCMOCC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)