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文献
J-GLOBAL ID：201702259697318582
整理番号：17A0955386
Si中炭素に関する電子照射後の液体窒素温度での光ルミネセンスによる定量
Quantification of C in Si by photoluminescence at liquid N temperature after electron irradiation
TAJIMA Michio
(Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
,
KIUCHI Hirotatsu
(Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
,
HIGUCHI Fumito
(Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
,
OGURA Atsushi
(Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 10 号： 4 ページ： 046602.1-046602.3 発行年： 2017年04月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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