文献
J-GLOBAL ID:201702259750357223
整理番号:17A1810337
Niナノドットシーディング核形成と組み合わせたプラズマ増強CVDによる結晶Si:H/Ge:Hヘテロ構造の低温形成
Low-temperature formation of crystalline Si:H/Ge:H heterostructures by plasma-enhanced CVD in combination with Ni-nanodots seeding nucleation
著者 (6件):
LU Yimin
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
MAKIHARA Katsunori
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
TAKEUCHI Daichi
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
IKEDA Mitsuhisa
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
OHTA Akio
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
MIYAZAKI Seiichi
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
6S1
ページ:
06GG07.1-06GG07.4
発行年:
2017年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)