文献
J-GLOBAL ID:201702259864956530
整理番号:17A0605275
波長分散X線分光によるワイドバンドギャップAlGaN:Si中のドーピング濃度および組成の分析
Analysis of doping concentration and composition in wide bandgap AlGaN:Si by wavelength dispersive x-ray spectroscopy
著者 (8件):
KUSCH Gunnar
(Univ. Strathclyde, Glasgow, GBR)
,
MEHNKE Frank
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
ENSLIN Johannes
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
EDWARDS Paul R
(Univ. Strathclyde, Glasgow, GBR)
,
WERNICKE Tim
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
KNEISSL Michael
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
KNEISSL Michael
(Leibniz-Inst. Hoechstfrequenztechnik, Berlin, DEU)
,
MARTIN Robert W
(Univ. Strathclyde, Glasgow, GBR)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
32
号:
3
ページ:
035020,1-7
発行年:
2017年03月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)