文献
J-GLOBAL ID:201702260088504628
整理番号:17A1009606
歪GeSn/Ge多重量子井戸活性層を有するSn系導波路p-i-n光検出器
Sn-based waveguide p-i-n photodetector with strained GeSn/Ge multiple-quantum-well active layer
著者 (4件):
HUANG Yu-Hui
(National Chung Cheng Univ., Chiayi County, TWN)
,
CHANG Guo-En
(National Chung Cheng Univ., Chiayi County, TWN)
,
LI Hui
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
CHENG H. H.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名:
Optics Letters
(Optics Letters)
巻:
42
号:
9
ページ:
1652-1655
発行年:
2017年05月01日
JST資料番号:
H0690A
ISSN:
0146-9592
CODEN:
OPLEDP
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)