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文献
J-GLOBAL ID：201702260180484074
整理番号：17A0406832
Tiは進行接触メタライゼーションのための均一および平滑Ni(Si_0 8Ge_0.2)層の高度に配向した成長【Powered by NICT】
Ti mediated highly oriented growth of uniform and smooth Ni(Si0.8Ge0.2) layer for advanced contact metallization
Ping Yunxia
(Shanghai University of Engineering Science, Shanghai 201600, China)
,
Hou Chunlei
(Shanghai University of Engineering Science, Shanghai 201600, China)
,
Hou Chunlei
(State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Zhang Chaomin
(Shanghai University of Engineering Science, Shanghai 201600, China)
,
Yu Wenjie
(State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Xue Zhongying
(State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Wei Xing
(State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Peng Wei
(State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Di Zengfeng
(State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Zhang Miao
(State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Zhang Bo
(State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
資料名：
Journal of Alloys and Compounds
(Journal of Alloys and Compounds)
巻： 693 ページ： 527-533 発行年： 2017年
JST資料番号： D0083A ISSN： 0925-8388 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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