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文献
J-GLOBAL ID：201702260214039141
整理番号：17A0755411
SONOSフラッシュメモリにおける電場誘起窒化にトラップされた電荷の横方向移動【Powered by NICT】
Electric Field Induced Nitride Trapped Charge Lateral Migration in a SONOS Flash Memory
Liu Yu-Heng
(Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Jiang Cheng-Min
(Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Chen Wei-Chun
(Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Wang Tahui
(Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Tsai Wen-Jer
(Macronix International Company, Ltd., Hsinchu, Taiwan)
,
Lu Tao-Cheng
(Macronix International Company, Ltd., Hsinchu, Taiwan)
,
Chen Kuang-Chao
(Macronix International Company, Ltd., Hsinchu, Taiwan)
,
Lu Chih-Yuan
(Macronix International Company, Ltd., Hsinchu, Taiwan)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 1 ページ： 48-51 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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