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文献
J-GLOBAL ID：201702260218992167
整理番号：17A1568721
65nm CMOSにおける放射線効果の実験的研究のための装置【Powered by NICT】
Setup for an Experimental Study of Radiation Effects in 65nm CMOS
Fritz Bernhard
,
Steininger Andreas
,
Simek Vaclav
,
Veeravalli Varadan Savulimedu
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： DSD ページ： 329-336 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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