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文献
J-GLOBAL ID：201702260224244025
整理番号：17A0325938
溶液処理単層In_2O_3とアイソタイプIn_2O_3/ZnOヘテロ接合トランジスタの性能に及ぼす蒸着後アニーリングの影響【Powered by NICT】
The impact of post-deposition annealing on the performance of solution-processed single layer In2O3 and isotype In2O3/ZnO heterojunction transistors
Tetzner Kornelius
(Department of Physics and Centre for Plastic Electronics, Blackett Laboratory, Imperial College London, London SW7 2BW, UK. k.tetzner@imperial.ac.uk t.anthopoulos@imperial.ac.uk)
,
Isakov Ivan
,
Regoutz Anna
,
Payne David J.
,
Anthopoulos Thomas D.
資料名：
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5 号： 1 ページ： 59-64 発行年： 2017年
JST資料番号： W2383A ISSN： 2050-7526 CODEN： JMCCCX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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