文献
J-GLOBAL ID:201702260367019062
整理番号:17A0475055
先進シリコンデバイスプロセスのための改良された物理的モデル【Powered by NICT】
Improved physical models for advanced silicon device processing
著者 (5件):
Pelaz Lourdes
(Departamento de Electronica, Universidad de Valladolid, E.T.S.I. de Telecomunicacion, 47011 Valladolid, Spain)
,
Marques Luis A.
(Departamento de Electronica, Universidad de Valladolid, E.T.S.I. de Telecomunicacion, 47011 Valladolid, Spain)
,
Aboy Maria
(Departamento de Electronica, Universidad de Valladolid, E.T.S.I. de Telecomunicacion, 47011 Valladolid, Spain)
,
Lopez Pedro
(Departamento de Electronica, Universidad de Valladolid, E.T.S.I. de Telecomunicacion, 47011 Valladolid, Spain)
,
Santos Ivan
(Departamento de Electronica, Universidad de Valladolid, E.T.S.I. de Telecomunicacion, 47011 Valladolid, Spain)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
62
ページ:
62-79
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)