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文献
J-GLOBAL ID：201702260372939344
整理番号：17A0118645
UV検出と効果デバイスI-V特性に及ぼす水素インターカレーションのためのエピタキシャルグラフェン(EG)/SiC基Schottkyエミッタバイポーラフォトトランジスタ【Powered by NICT】
Epitaxial graphene (EG)/SiC based Schottky emitter bipolar phototransistors for UV detection and effect of hydrogen intercalation on device I-V characteristics
Chava Venkata S.N.
(Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC 29208)
,
Chandrashekhar M V S
(Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC 29208)
,
Daniels Kevin M.
(NRC Postdoc residing at US Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375)
,
Barker Bobby G.
(Department of Chemistry and Biochemistry, University of South Carolina, Columbia, SC 29208)
,
Greytak Andrew B.
(Department of Chemistry and Biochemistry, University of South Carolina, Columbia, SC 29208)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： SENSORS ページ： 1-3 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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